貼片鋁電解電容雙極結(jié)型三極管相當于兩個背靠背的二極管 PN 結(jié)。正向偏置的 EB 結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大局部空穴可以抵達集電結(jié)的邊境，并在反向偏置的 CB 結(jié)勢壘電場的作用下抵達集電區(qū)，構(gòu)成集電極電流 IC 。在共發(fā)射極晶體管電路中 , 發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大局部 的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。由于 VBE 很小，所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
假如
貼片鋁電解電容晶體管的共發(fā)射極電放逐大系數(shù)β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，假如在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將呈現(xiàn)一個相應(yīng)的交變電流ic，有c/ib=β，完成了雙極晶體管的電放逐大作用。
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)三極管的根本工作原理是靠半導(dǎo)體外表的電場效應(yīng)，在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來停止工作的。當柵 G 電壓 VG 增大時， p 型半導(dǎo)體外表的多數(shù)載流子棗空穴逐步減少、耗盡，而電子逐步積聚到反型。當外表到達反型時，電子積聚層將在 n+ 源區(qū) S 和 n+ 漏區(qū) D 之間構(gòu)成導(dǎo)電溝道。當 VDS ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使貼片鋁電解電容半導(dǎo)體外表到達強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 VT 。當 VGS>VT 并取不同數(shù)值時，反型層的導(dǎo)電才能將改動，在相同的 VDS 下也將產(chǎn)生不同的 IDS , 完成柵源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控制。
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